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全面屏手机发展的三道门槛究竟有哪些

2017-08-11 18:42:00   |  手机资讯  |  阅读量:  |  作者:Jason
在今年的手机市场上全面屏可谓是带动了手机发展的潮流,虽然在上半年没有特别突出的表现,但在下半年准备推出的几款全面屏手机中皆有不俗的设计。那么这时会有朋友问了究竟什么是全面屏手机,它又有哪些规定呢?其实简单的来说手机需要拥有80%的屏占比,才能称得上是一款真正的全面屏手机。而纵观现在的手机市场全面屏想要得到更高的发展还需要打破三道门槛。


在今年的手机市场上全面屏可谓是带动了手机发展的潮流,虽然在上半年没有特别突出的表现,但在下半年准备推出的几款全面屏手机中皆有不俗的设计。那么这时会有朋友问了究竟什么是全面屏手机,它又有哪些规定呢?其实简单的来说手机需要拥有80%的屏占比,才能称得上是一款真正的全面屏手机。而纵观现在的手机市场全面屏想要得到更高的发展还需要打破三道门槛。

全面屏手机

iPhone 8的四面窄边框

无论是三星、夏普还是iPhone 8,都需要将左右边框做到足够窄,目前来看做到窄边框已经有成熟的方案,比如三星的曲面、努比亚Z17的无边框已经可以从视觉上做到左右边框的“消失”,提升屏占比。目前做窄边框的思路大都相同,即通过减少BM区的宽度,BM区就是大家经常说的手机黑边,功能上来讲BM区主要是帮助遮挡背光模组的光线,结构上来讲,BM区域主要包括边框胶和驱动电路排线,边框胶用于液晶屏封装,防止液态的液晶分子流出;驱动电路排线区域顾名思义,用于放置传输屏幕驱动电路控制信号的走线。

全面屏手机

液晶面板结构

传统意义上缩窄黑边有限,目前多是通过改良工艺来推进窄边框甚至无边框的实现,比如通过提升点胶工艺,缩窄边框胶宽度,目前可以将边框胶宽度从0.5mm缩到0.3mm。另外通过技术改良来减小左右驱动电路区域宽度也是一种方式,一般来讲液晶面板的运作受到栅极和源级电压的共同控制,其中负责开启和关闭具体某个像素点下方的TFT晶体管的栅极驱动芯片Gate IC一般位于面板左右BM区域里。

全面屏手机

Gate On Array技术

现在全新的GOA(Gate On Array)技术可以做到将Gate IC直接制作在TFT阵列(Array)基板上,省去Gate IC占据的空间,精简外置Gate IC需要的走线,也是缩窄边框的好方法。另外在显示材料技术方面,LTPS低温多晶硅技术还能够实现栅极走线重叠设计的方式缩短BM的宽度,进一步实现左右边框做窄。但是我们知道想要让黑边全部消失现在无法实现,所以目前的无边框手机均是屏幕玻璃边缘采用了斜切或者圆角结构,利用光线折射的原理实现“视觉无边框”。不过对于全面屏来说,通过工艺改良已经能够做到边框足够窄,目前的难点在于怎么让“额头”和“下巴”消失。

总而言之全面屏手机到这里还并没有结束,因为手机科技的研发是不可抵挡的,所以对于智能手机的全面屏化我们还是静候期待的。而对于现在市场上全面屏手机的发展,其实还是非常乐观的,这一点我们毋庸置疑。


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